Tox-Ic Technologies

FZ1200R16KF4_S1
INFINEON IGBT
IGBT Modules 1600V 1200A SINGLE         

MCC255-14i01
Ixys Make Module Thyristor-
250A 1400V
Rectifier bridge IGBT POWER MODULE 

IGBT POWER MODULES 
THYRISTOR 
SCR
1700 to 6500 volt as single
high-voltage/high-current
Power Discretes & Modules · Silicon Carbide (SiC) Semiconductor 

CM100DUS-12F
MITSUBSIHI IGBT DIODE MODULE
Dual [Half Bridge], 100 A, 600 V, 350 W, 150 °C, Module


 

CM150RX-24A IGBT
MITSUBISHI MAKE             
Lead free / RoHS Compliant
 

PM1200HCD330-1
THYRISTOR Modules.
 Voltage, Isolated Module DC DC Converter 1 Output 28V  

Fuji IGBT Transistors                                                                                  1DI300M-120    

FUJI IGBT                                                                                                2MBI650VXA-170E-50                                                                                                                              

1MBI3600VD_170E
MAKE FUJI



IGBT MODULE (V series) 1700V / 3600A / 1

SCR Modules NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL                                                                     VDRM / VRRM 4800V … 5200V ITAVM 1660A (TC=85°C) 3570A (TC=55°C) ITSM 44000A vT0 0,92V rT 0,39mΩ RthJC 9,0K/kW Clamping Force 36 … 52kN Max. Diameter 121mm Contact Diameter 86mm Height 35mm 

Fuji Discrete Package IGBTn Features* Square RBSOA* Low Saturation Voltage* Less Total Power Dissipation* Minimized Internal Stray Inductancen Applications* High Power Switching* A.C. Motor Controls* D.C. Motor Controls* Uninterruptible Power Supplyn Outline Drawingn Maximum Ratings and Characteristics* Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)Items Symbols Ratings UnitsCollector-Emitter Voltage VCES 1200 VGate -Emitter Voltage VGES ± 20 VDC Tc= 25°C IC 25 16Collector Current DC Tc=100°C IC 100 10 A1ms Tc= 25°C IC PULSE 48IGBT Max. Power Dissipation PC 135 WOperating Temperature Tj +150 °CStorage Temperature Tstg -40 ~ +150 °CMounting Screw Torque 50 Nm* Electrical Characteristics ( at Tj=25°C )Items Symbols Test Conditions Min. Typ. Max. UnitsZero Gate Voltage Collector Current ICES VGE=0V VCE=1200V 1.0 mAGate-Emitter Leackage Current IGES VCE=0V VGE=± 20V 20 µAGate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=20V IC=10mA 5.5 8.5Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) VGE=15V IC=10A 3.5Input capacitance Cies VGE=0V 1200Output capacitance Coes VCE=10V 250 pFReverse Transfer capacitance Cres f=1MHz 80tON VCC=600V 1.2tr IC=10A 0.6tOFF VGE=±15V 1.5Switching Time tf RG=160W 0.5tON VCC=600V 0.16tr IC=10A 0.11tOFF VGE=+15V 0.30tf RG=16W 0.5* Thermal CharacteristicsItems Symbols Test Conditions Min. Typ. Max. UnitsThermal Resistance Rth(j-c) 0.92 °C

Specifications :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3300 VCollector-Emitter Saturation Voltage: 3.4 VContinuous Collector Current at 25 C: 1300 AGate-Emitter Leakage Current: 400 nAPower Dissipation: 9.6 kWMaximum Operating Temperature: + 125 CMaximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 VMinimum Operating Temperature: - 40 C

Model Name/NumberCMGEGF400U12D4AGBrandMicrosemiVoltage600VUsage/ApplicationAC Inverter DrivesCurrent Rating300AMaterialPlastic

CM1000DU-34NF  
IGBT DIODE MODULE
MITSUBISHI MAKE
Configuration, Half Bridge ; Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max), 1700V ; Current – Collector (Ic) (Max), 1000A.
 

FZ1200R33KF2C.
INFINEON IGBT
IHV A 3300 V, 1200 A 190 mm single-switch IGBT Module with IGBT2 and Emitter Controlled diode 

FZ1200R12KF4
EUPEC MAKE IGBT
IGBT Modules 1200V 1200A SINGLE

 59-609HZ Infineon
 

CM400C1Y-24S                                                                                        MITSUBISHI IGBT  
Collector-emitter voltage, Max, 1200, V. Collector current, Max, 400, A.                                                                                                                     

SEMIKRON IGBT                                                                                    SEMIX202GB-128D       
 SPT = Soft-Punch-Through technology
• VCE(sat) with positive temperature coefficient
• High short circuit capability                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                    

MDO 500 16N1                                                                                        IXYS POWER MODULE     
IXYS Discrete Semiconductor Modules 500 Amps 1600V                                                                        

MCC501-16io2
THYRISTOR MODULE
IXYS MAKE
Thyristor; double series; 1.6kV; 503A; W74; Ufmax: 1.43V